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串行總線接口MRAM
串行MRAM以40MHz的時鐘速度高速運行，沒有寫延遲。和傳統的EEPROM技術不同，MRAM允許無限次擦除。容量為256Kb到1Mb，數據保存時間長達20年以上。低電壓保護電路可在掉電時自動保護數據，防止在
2017-10-26
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臺積電斥巨資建3納米工藝芯片制造廠
雖然臺積電不是一個眾所周知的品牌，但它其實是智能手機元器件制造領域的巨頭之一。聯發科、高通和蘋果等公司自己設計芯片，然后由臺積電進行制造的。
2017-10-26
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