串行總線接口MRAM
來源：宇芯有限公司 日期：2017-10-26 15:57:31
概述
串行MRAM以40MHz的時鐘速度高速運行，沒有寫延遲。和傳統的EEPROM技術不同，MRAM允許無限次擦除。容量為256Kb到1Mb，數據保存時間長達20年以上。低電壓保護電路可在掉電時自動保護數據，防止在規定電壓范圍以外時寫入數據。對于必須永久保存、快速恢復重要數據和程序的應用，SPI串行總線接口的MARM存儲器是理想的存儲器方案。
特性
• 無寫延時
• 無限次可寫
• 數據保存時間大于20年
• 掉電數據自動保護
• SPI總線操作速率高達40 MHz
• 電源電壓范圍：2.7V~3.6V
• 待機電流低至3μA
• 具備工業級和汽車級的可選溫度范圍
• 小尺寸8引腳DFN封裝，符合RoHS標準
•
可直接替代EEPROM、Flash、FRAM
關鍵詞：
MRAM
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