国产精品亚洲一区二区三区久久,欧美日韩激情视频在线观看,久久久久久久久理论片,粗大挺进玉芬双腿间
產品中心
靜態隨機SRAM
低功耗LPSRAM
Serial RAM
異步快速Async Fast
國產SRAM芯片
偽靜態隨機pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
鐵電存儲器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步動態SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
內存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制層芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制單片機MCU
32位單片機MCU
案例&資訊
行業案例
資訊動態
關于我們
關于宇芯
組織架構圖
聯系我們
聯系我們
郵箱：
sales@wridy.com
首頁
網站地圖
EN
資訊動態
行業案例
>
資訊動態
>
資訊動態
主頁 >
案例&資訊
?
資訊動態
?
列表
非易失性MRAM關鍵特性-MR2A16A
經過超過八年的MRAM研發，Everspin MR2A16A是第一款4MbitMRAM商業設備。該器件采用256K x 16位配置（圖1），并具有異步設計，帶有標準的
2020-09-14
查看詳情 >
非易失性存儲器平衡方法
非易失性存儲器在高級節點上變得越來越復雜，在高級節點上的價格和速度，功率和利用率正在成為一些非常特定于應用程序的折衷，以決定該存儲
2020-09-09
查看詳情 >
EEPROM與內存Flash消耗能量計算
本篇文章存儲芯片供應商宇芯電子要介紹的是非易失性存儲器EEPROM與Flash消耗能量計算。首先，我們來看看非易失性存儲器在典型的3 3V EEPRO
2020-09-07
查看詳情 >
串行MRAM消耗的能量
MR25H256是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯
2020-09-03
查看詳情 >
SRAM的基礎模塊存有三種情況
SRAM是隨機存取存儲器的一種。靜態是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數
2020-09-01
查看詳情 >
Everspin MRAM內存技術如何工作
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領導者，Everspin所生產的MRAM產品包括40nm，28nm
2020-08-28
查看詳情 >
414條
上一頁
1
..
43
44
45
46
47
48
49
50
51
..
69
下一頁
友情鏈接
大型鹽霧試驗箱廠家
拉力計
氮化鎵芯片
智慧工業園
官方微博
阿里巴巴
微信公眾號
宇芯有限公司Wridy company limited
產品中心
靜態隨機SRAM
偽靜態隨機pSRAM
磁性非易失MRAM
鐵電存儲器FeRAM
非易失性NV-SRAM
同步動態SDRAM
內存Flash
多制層芯片MCP
Microcontroller
案例&資訊
行業案例
資訊動態
關于我們
關于宇芯
組織架構圖
聯系我們
聯系我們
在線客服
2207232297
聯系電話
18926554009
