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集成鐵電存儲器MCU為物聯網應用提供出色性能
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產品數據寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電
2020-11-10
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磁阻式隨機存儲器MRAM基本原理
磁阻式隨機存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優點有讀取速度快和集成度高及非揮發性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機
2020-11-06
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非易失性MRAM存儲器應用于各級高速緩存
磁阻式隨機存儲器MRAM是一種新型存儲器,其優點有讀取速度快和集成度高及非揮發性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運用于計算機存儲系統
2020-11-04
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NAND FLASH的接口控制設計
Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內部采用非線性宏單元模式以及為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand
2020-11-02
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SDRAM內存條時序特點
計算機上廣泛應用的內存條具有速度高、容量大、接口標準、擴展方便等優點。在大容量,高速數據存儲的領域,應用SDRAM內存條代替一般的單片SDRAM存儲器，給實際電路的更改和存儲容量的擴展帶
2020-10-29
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如何解決MRAM壽命問題
在高密度MRAM模塊中會遇到磁介質的不規則漩渦，這種漩渦引起了磁極的老化，甚至導致讀寫錯誤。這也就是說，MRAM的壽命和穩定性會隨著MRAM容量的增加而面臨嚴峻的考驗。
2020-10-27
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