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MCU漲價的主要因素還得從供需來看
首先需求方面來說，疫情導致在線教育與辦公需求增長，導致對應的驅動IC、電源管理IC及功率元件需求增長，而一季度之后，疫情得到有效遏制，
2020-12-11
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NAND FLASH系統的權衡利弊
NAND FLASH是一種大眾化的非易失性存儲器，主要是因為小型和低功耗且堅固耐用。盡管此技術適合現代存儲，但在將其列入較大系統的一部分時
2020-12-09
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易失性存儲DRAM詳解
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單,每
2020-12-08
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非易失性Flash詳解
Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片
2020-12-04
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嵌入式STT-MRAM效應與流致反轉
最初的MRAM都是用微電磁線圈產生電磁場，使自由層的磁矩方向反轉來進行0、1數據的讀寫。這種復雜的結構大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進程，因此當時MRAM的存貯密度遠遠不及DRAM和SRAM。
2020-12-02
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SRAM的容量擴展
通常微處理器的數據總線為8位和16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。當靜態RAM的地址線和數據線不能與微機相匹配時，可用地址線擴展和
2020-11-30
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