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SRAM存儲器主板操作確認
對已完成的sram存儲器主板進行操作。在msdos模式下啟動，利用debug指令，從d0000h開始試著進行數(shù)據(jù)的讀 寫操作。如果確認了主板能夠正常運
2020-03-10
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疫情下DDR3芯片現(xiàn)貨市場行情
春節(jié)前的存儲價格一路高漲，各大存儲廠的庫存壓力逐漸縮小，而市場上的現(xiàn)貨庫存有限導(dǎo)致了許多終端提前備貨。在2月開工的存儲產(chǎn)業(yè)的需求也
2020-03-09
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各種異步SRAM比較
那些不具備時鐘輸入的sram便是異步型的。在這些器件中，讀操作和寫操作將在器件接收到指令之后立即被啟動。采用異步型sram最大的優(yōu)點之一是
2020-03-06
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非易失性MRAM磁性隧道結(jié)技術(shù)
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性狀態(tài)作為數(shù)據(jù)存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)
2020-03-05
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Everspin MRAM存儲器MR25H10CDC
MR25H10CDC對于必須使用最少數(shù)量的引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H10CDC是理想的存儲器。
2020-03-04
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ST-MRAM磁隧道結(jié)寫入方式
自旋轉(zhuǎn)移矩依靠電流實現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn)，寫入電流密度大概在106~107A cm2之間，而且寫入電流的大小可隨工藝尺寸的縮小而減小，克服了傳統(tǒng)磁場寫入方式的缺點，因而被廣泛認為是實現(xiàn)磁隧道結(jié)的純
2020-03-03
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