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富士通FRAM為無電池技術提供了解決方案
實際上已確認內置有FRAM的演示設備已經能夠在沒有電池的狀態下寫入數據。也就是說FRAM通過自身的“非易失性”及“高速寫入”，實現了低能耗，為無電池技術提供了解決方案。
2020-04-14
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每秒54Mb速度傳輸數據的富士通FRAM
富士通FRAM MB85RQ4ML是采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元的FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，配置為524,28個8字X 8位。
2020-04-13
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意法半導體MCU推出智能嵌入式應用的STM32L4
意法半導體新推出的STM32L4+微控制器極具性價比，集成最低的存儲容量512KB的閃存和320KB的SRAM，提供緊湊的10mmx10mm64引腳和7mmx7mm48引腳
2020-04-10
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Everspin MRAM磁場抗擾度
Everspin Technologies，Inc 是設計，制造和商業銷售分立和嵌入式MRAM存儲器到市場和應用程序的全球領導者，在這些市場和應用程序中，數據
2020-04-09
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賽普拉斯和Everspin MRAM器件區別是nvSRAM上的引腳
賽普拉斯和Everspin器件之間的主要區別是nvSRAM上的兩個引腳：VCAP和 HSB。這些引腳用于支持nvSRAM備份周期，并且對于MRAM的操作不是必需
2020-04-08
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選擇MRAM的理由
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以
2020-04-07
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