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如何減小SRAM讀寫操作時的串擾
靜態存儲器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數據的存儲器。在SRAM 存儲陣列的設計中，經常會出現串擾問題發生。那么要如何減小
2020-05-19
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采用分級字線結構可提高SRAM讀寫速度及降低電路動態功耗
采用分級字線結構的存儲器將整個存儲陣列劃分為若干個相同的子陣列。與非分級字線結構相比，它需要采用多級的字線譯碼才能完成對存儲單元的
2020-05-18
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SRAM中的功耗來源
在CMOS電路中，功耗的來源主要有兩個方面（1）靜態功耗，即反向漏電流造成的功耗；（2）動態功耗，由電路作開關轉換時進入過渡區由峰值電流
2020-05-15
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半導體SRAM存儲器綜述
最近30年，隨著微電子技術的飛速發展，半導體存儲器也正朝著顯著的方向發展，由于DRAM具有高密度和每位低價格的優點，已成為了生產最多的用
2020-05-14
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帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM
ISSIIS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位靜態RAM，組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術制造，并實現了ECC功能以提高可靠性。當
2020-05-13
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SRAM的發展概況及趨勢
存儲器作為通用器件，可廣泛應用于現代航天武器系統的控制、制導導航、數據采集與傳輸、圖象處理、通訊、測控等不同領域，完全取代國外同類產品，其應用前景十分廣闊。
2020-05-12
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