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外部SRAM的優缺點
部SRAM存儲器所提供比片內存儲器更大的存儲容量，速度則是相當快，但是稍略遜于片內存儲器。常用的外部SRAM的容量可達128KB至10MB。
2020-01-20
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三星預計2020年MRAM達到16nm
MRAM研發的挑戰一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機器設備廠商也出力甚多，這是幾家大機器設備廠商先后投入這即將興起設備市場良性競爭的結果。
2020-01-19
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可穿戴電子設備中的SRAM
在所有可用的存儲器中，SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因為它與DRAM相比待機電流消耗較低，而且其存取時間也比DRAM和閃存更短。
2020-01-17
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存儲器SRAM仍是主流市場
低功耗SRAM存儲芯片，屬于靜態隨機存儲器芯片，產品的容量范圍為1 4 8 16Mb，常用容量為8Mb，電壓范圍在1 8V 3 3V 5V ，部分器件有寬電壓的電壓范圍，速度在44 55 75ns
2020-01-16
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MCU軟件技術必將迎來新的發展浪潮
MCU軟件開發主流平臺KEIL將自己的和第三方提供的中間件集成在同一開發平臺上。MCU軟件開發時，只需要將這些中間件集成到自己的軟件中，就可實現相應的功能。
2020-01-15
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ST-MRAM類別及發展由來
隨著自旋轉移矩效應的發現以及材料和結構的優化，基于自旋轉移矩效應的STT-MRAM器件應運而生。自從自旋轉移矩效應被證實以來，一方面研究人員通過大量的努力嘗試降低磁化反轉的臨界電流
2020-01-14
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