Everspin是設計制造和商業銷售分立磁阻RAM（MRAM）到市場和應用的全球領導者，在這些市場和應用中，數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。
 
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以與速度更快的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T配合使用，但也使系統設計人員可以利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin 8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。everspin代理宇芯電子支持提供產品應用解決方案等支持。
 
MR3A16ACMA35的優點
與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多好處：
•更快的隨機訪問操作時間
•高可靠性和數據保留
•無限的讀/寫耐久性
•無磨損
•有競爭力的定價
•穩定的制造業供應鏈
•小尺寸BGA封裝
 
普通引腳
MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電，并與FRAM兼容。兩種產品都使用標準的sram并行地址（A0-16），字節寬的雙向數據引腳（DQ0-7）和控制信號（/E，/W，/G）。每個模塊都可以由一個公共的定時接口支持，并用作隨機存取讀/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。

 
   
MRAM提供更快的時序
 
MR3A16ACMA35和MB85R8M2T使用類似于標準SRAM的地址，數據和控制信號。然而，Everspin MR3A16ACMA35允許以35ns的速度進行更快的讀寫操作。富士通FRAM需要至少150ns的讀取周期時間才能進行隨機讀取訪問。MB85R8M2T的內部操作在進行75ns的初始讀取訪問后需要至少75ns的預充電時間，從而導致150ns的隨機訪問最小循環時間。無論是器件自定時還是由用戶通過將/CE調高來啟動，都存在預充電時間。FRAM在周期時間的初始訪問部分執行讀取操作，然后在預充電時間內將數據恢復到存儲單元（寫回數據），就像DRAM一樣。這稱為破壞性讀出操作。MRAM可以以這種較慢的FRAM讀取順序進行操作，但是MRAM實際上具有更快的速度，因為它沒有破壞性的讀取機制。讀取和寫入周期都會磨損FRAM。
 
MRAM具有無限的讀寫耐久性。MR3A16ACMA35支持35ns的讀取訪問和循環時間。MR1A16ACMA35不需要預充電周期，其初始讀取訪問時間比FRAM快兩倍，而隨機訪問則快四倍。FRAM與讀周期一樣需要150ns的時間來完成寫周期。MRAM將以此時序運行，但實際上其寫入周期僅為35ns（比FRAM快4倍）。為了利用MR3A16ACMA35快四倍的隨機讀寫速度，您可能希望修改控制接口。MRAM無需更改即可直接插入大多數SRAM控制器。
 
 
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