隨著半導體工藝技術的不斷進步,芯片工藝制程的不斷演進和成本的不斷降低,半導體芯片廣泛應用在物聯網、個人終端、汽車電子、可穿戴設備、工業互聯網等各個領域。隨著芯片工藝的逐步升級,性能問題已不在是芯片設計環節的主要瓶頸,如在很多手持設備領域,低功耗設計成為了芯片設計中的關鍵核心問題。通過引入一種基于磁存儲芯片作為內部存儲器件的芯片架構,同時也用作芯片內部的高速緩存,能夠有效降低芯片漏電流,有效地提升了設備使用時間,降低了整體的TCO成本,大大提升了產品競爭力。
 
在眾多新型非易失性存儲介質中,磁存儲芯片(STT-MRAM)能夠與CMOS半導體工藝良好兼容,利用較少的金屬層即可以做到存儲單元的高密度集成。同時由于其接近于靜態隨機存儲器(SRAM)的讀寫速度﹑極低的靜態和動態功耗、掉電不易失的特性、接近于無限的擦寫次數,高溫下長時間的數據保持能力以及抗強磁場輻射等特性,是作為企業級SSD控制器中數據緩存和FTL表項存儲的天生優良介質。
 
當前眾多半導體設計大廠都將MRAM芯片作為下一代非易失性存儲介質的研發重點。除了臺積電、三星和東芝一直在持續推進STT-MRAM 的研發之外,美國的 Everspin MRAM公司早已發布了量產STT-MRAM芯片。
 
將嵌入式STT-MRAM應用在芯片架構設計中,充分利用其掉電不易失數據的特性,能夠對存儲部分進行完全的關電設計,從而顯著降低整個芯片的漏電流和靜態功耗。
 


關鍵詞：STT-MRAM 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。