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適用于SSD的異構DDR STT-MRAM控制器架構

來源: 日期:2021-12-10 10:37:49

隨著企業固態硬盤(SSD)在系統性能和更小的外形尺寸方面不斷突破極限,SSD解決方案提供商面臨著更大的挑戰。需要提高密度、耐用性、性能并添加重要的新功能,同時還要繼續保護傳輸中的數據免受電源故障的影響。
 
作為克服現有基于NAND閃存的SSD局限性的解決方案,Everspin MRAM提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM,可用于通過提供高速非易失性存儲來提高SSD的系統性能和可靠性飛行數據。通過添加STT-MRAM來補充或替換SSD控制器的DDR總線上的易失性DRAM,SSD控制器現在可以將這種高速非易失性存儲器用于寫入緩沖區和任何其他傳輸中以前易失性的關鍵數據。
 
對于企業級SSD來說,電源管理系統的設計很重要。系統必須檢測電源故障,將驅動器與主機隔離,并為驅動器提供足夠的能量存儲,以允許將任何傳輸中的數據提交到非易失性存儲器,以保證數據完整性。完成此操作所需的保持能量與傳輸中的數據量、非易失性存儲器的速度和系統的功耗成正比。這種保持能量存儲提供的時間量可以被視為電源故障窗口或在保持能量耗盡之前可用于存儲不受保護的數據的時間。
 
為了支持由不同內存類型的獨立列組成的異構DDR架構,理想情況下,SSD控制器中包含的DDR控制器需要支持處理STT-MRAM的不同時序和尋址要求,以獲得最佳性能。SSD控制器還必須采用額外的邏輯來正確管理DDR控制器緩沖區中的少量駐留數據,以確保將管道刷新到STT-MRAM并在斷電之前關閉STT-MRAM中的任何打開頁面.


關鍵詞:STT-MRAM,Everspin MRAM
 

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