MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
 
STT-MRAM是一種高級類型的MRAM存儲器。與常規設備相比，STT-MRAM可實現更高的密度、低功耗和更低的成本。STT-MRAM相對于Toggle MRAM的主要優勢是能夠擴展STT-MRAM芯片以更低的成本實現更高的密度。STT-MRAM具有成為領先存儲技術的潛力，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰DRAM和SRAM），可以遠低于10nm并挑戰閃存的低成本。
 
STT-MRAM在速度、面積、寫入次數和功耗方面能夠達到較好的折中，因此被業界認為是構建下一代非易失性緩存和主存的理想器件。STT-MRAM的應用前景并不局限于傳統的計算機存儲體系，還能夠擴展到其他諸多領域，甚至有望成為通用存儲器。
 
例如，寶馬公司在發動機控制模塊采用MRAM以保證數據在斷電情況下不丟失。鑒于磁性存儲具有抗輻射的優勢，空客公司在A350的飛行控制系統中采用MRA以防止射線造成數據破壞。此外，在物聯網和大數據等新興應用領域，泛在的傳感器終端需要搜集海量數據，為節省存儲功耗，使用非易失性存儲器勢在必行，STT-MRAM以其相對優良的性能成為熱門的候選器件。


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