Everspin MRAM增強了RIM智能電表的即時非易失性
來源:宇芯有限公司 日期:2021-04-27 10:51:41
今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強大的系統存儲優勢。
Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM專為需要數據完整性,內存可靠性和低能耗的強大環境而設計,其系統具有快速,對稱的讀/寫性能和無限的耐用性。這些優勢使RIM的三相智能電表能夠快速,頻繁且即時地非易失性存儲關鍵電表數據。在斷電或篡改的情況下,RIM系統能夠立即將關鍵數據保存并保護到
MRAM,而無需外部電池或超級電容器。因此在重新啟動或授權訪問RIM儀表后,可以立即恢復或顯示儀表的最后狀態以確保操作的連續性。 RIM三相智能電表在俄羅斯獲得GOST 52320-2005認證,已指定在惡劣環境中部署30年,具有自我診斷能力,并能抵御氣候,機械和電磁影響。
RIM首席技術官說:“ Everspin是幫助我們提供具有高數據完整性的智能電表的關鍵供應商。 Everspin的高性能非易失性MRAM簡化了我們的設計,并為我們的用戶提供了一個強大而值得信賴的平臺,使您可以放心,當我們的產品部署在不可預測的環境中時,其計量數據是安全的。”
Everspin MRAM市場營銷表示:“我們的使命是提供能夠為客戶提供各自市場競爭優勢的內存解決方案,我們很高興RIM的支持MRAM的智能電表取得了巨大的成功。 Everspin的MRAM存儲器為能源市場帶來了關鍵優勢,包括無限使用,即時數據完整性以及對系統范圍的防篡改的支持。”
Everspin的4兆MR25H40 MRAM具有標準的串行外圍設備接口(SPI),并已通過標準的8引腳DFN封裝全面投入生產。由于實現了MR25H40并像異步SRAM一樣執行讀/寫操作,因此MRAM產品可以放入幾乎任何標準的8引腳SPI接口SOIC或DFN插座中,而無軟件開銷。Everspin代理宇芯電子支持提供技術相關支持。
關鍵詞:MRAM
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