從市場規模來看，當下最主流的存儲器是DRAM，Nand Flash和NOR Flash，這三者占據了所有半導體存儲器規模的95%左右，尤其是前兩者，占總量約9成，市場規模均在數百億美元。
   
其中DRAM 2018年的市場規模已達到1000億美元，根據IC Insights最新預測,預計到2026年全球DRAM市場規模有望達到1219億美元左右。相對DRAM和NAND來說，NOR Flash的市場要小的多，全球規模約30億美元，分散程度也更大。
 
半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，DRAM和NAND Flash基本被前三大公司包攬，且近年來壟斷程度逐步加劇。根據中國閃存市場的數據顯示，2020年DRAM市場95%的份額被三星、SK海力士和美光占據，而三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士、英特爾則占據了NAND市場約99%的份額。
 
具體看這三大存儲器，他們各有不同：
   
DRAM數據易失且容量小。盡管DRAM多項性能都很優秀——納秒級別的延遲，數十GB/S的帶寬，接近于“長生不老”的壽命；然而它是易失性存儲器，即斷電后數據會丟失，而且，其成本比閃存高，容量也較小。
 
NAND Flash延遲長及壽命短，平面微縮已到極限。其每次寫入數據時需要施加高壓，讓電子突破晶體管的氧化膜進入浮動柵極，這一過程會對氧化膜造成不可逆的損害，性能最好的SLC NAND，讀寫次數也只有10萬次左右，而差一些的MLC、TLC的讀寫壽命均以千次為量級。
 
NOR Flash特點是芯片內執行（XIP，Execute In Place），即應用程序不必再把代碼讀到系統RAM中，而是直接在Flash閃存內運行，故其傳輸效率很高，讀取速度快，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，主要被用來存儲程序。然而NOR的器件結構要求其在進行擦除前先要將所有的位都寫入0，這就使得其擦除速度很低，同時由于閃存在寫入數據之前，均要求進行擦除，故這也會影響到NOR的寫入速度。
 
綜上所述是這三類主流存儲器都存在各自的優缺點，并且隨著技術的發展，他們的缺點也在被逐漸放大。存儲芯片供應商宇芯電子支持提供樣品測試及技術支持。


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