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ST-MRAM類別及發展由來
隨著自旋轉移矩效應的發現以及材料和結構的優化，基于自旋轉移矩效應的STT-MRAM器件應運而生。自從自旋轉移矩效應被證實以來，一方面研究人員通過大量的努力嘗試降低磁化反轉的臨界電流
2020-01-14
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串行及并行接口SRAM區別之處
外置SRAM通常配有一個并行接口。考慮到大多數基于SRAM的應用的存儲器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。
2020-01-10
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緩存應用程序ST-MRAM流程和性能演示
英特爾顯示了2MB STT-MRAM陣列的L4緩存級應用程序性能和可靠性。這要求在工業操作溫度范圍內具有高密度，高帶寬和高耐久性。表I中所顯示STT-MRAM的L4高速緩存應用程序所需的規范。
2020-01-08
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預期Nand-flash內存需求市場及價格漲
威剛也指出，資料中心庫存已回復正常，需求可望逐步回溫提升，固態硬盤（SSD）與智能手機搭載容量成長，NAND Flash需求強勁，價格穩定態勢有機會延續到第4季。
2020-01-06
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SPI NAND Flash滿足小型化需求
隨著5G網絡即將帶來的數據狂潮，萬物互聯對存儲芯片有了更高的需求，目前SPI SLC NAND 在PON、網通模塊、監控等領域也逐步普及，SPI NAND有更快的寫入速度，且對于頻繁擦寫有著更高的穩定性。
2020-01-02
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靈動微MCU國產替代的本土芯片廠商
32位MCU是重點產品。這主要是基于未來物聯網的市場發展方向，MCU在未來具有想象不到的大市場，因為幾乎每一臺設備每一個端都需要一顆MCU。未來物聯網需要很多無線連接，
2019-12-30
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