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疫情下DDR3芯片現貨市場行情
春節前的存儲價格一路高漲，各大存儲廠的庫存壓力逐漸縮小，而市場上的現貨庫存有限導致了許多終端提前備貨。在2月開工的存儲產業的需求也
2020-03-09
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非易失性MRAM磁性隧道結技術
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）架構，其中鐵磁材料的磁性狀態作為數據存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態
2020-03-05
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ST-MRAM磁隧道結寫入方式
自旋轉移矩依靠電流實現磁化翻轉，寫入電流密度大概在106~107A cm2之間，而且寫入電流的大小可隨工藝尺寸的縮小而減小，克服了傳統磁場寫入方式的缺點，因而被廣泛認為是實現磁隧道結的純
2020-03-03
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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設計
基于SMIC 28nm工藝節點仿真結果顯示,新型10T單元結構在電源電壓為1 05V時,和傳統6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時,在單元讀寫操作時,錯誤率較低。
2020-02-28
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新型非易失性MRAM優勢
MRAM（磁性存儲器）是一種非易失性存儲器。MRAM技術速度接近靜態隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸
2020-02-26
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SPI FLASH讀寫介紹
對flash芯片的操作，一般包括對flash芯片的擦除，編程和讀取，各大廠商的SPI flash芯片都大同小異，操作命令基本是沒什么變化的，當我們拿到一款芯片，要特別注意芯片的容量，操作分區等。
2020-02-24
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