MRAM（磁性存儲器）是一種非易失性存儲器。MRAM技術速度接近靜態隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，但平均能耗遠低于DRAM，且基本上可無限次地重復寫入。
 
MRAM曾獲得多家產業巨頭的青睞，摩托羅拉的半導體部門、IBM、英飛凌、賽普拉斯、瑞薩、三星電子、SK海力士、美光等均曾陸續投入研發MRAM的行列。
 
國際上有多個國家和地區的政府及公司巨資投入開發MRAM產品，包括IBM、WD、東芝、三星電子、TDK、Seagate、Headway等。其中IBM、Eversipin、三星電子為主要代表企業，從飛思卡爾獨立出來的Everspin據稱為全球第一家大批量提供商用MRAM產品的企業，GlobalFoundries、臺積電和聯電等晶圓代工廠商亦逐步投入嵌入式MRAM生產。
 
目前MRAM技術已在向第二代發展，主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM，ST-MRAM被視為是可以挑戰DRAM和SRAM的高性能存儲器，Everspin、三星電子、IBM、Grandis等企業均已涉足。
 
關于Everspin
Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。Everspin公司在數據中心和云存儲以及能源和工業及運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎。everspin代理宇芯電子提供非易失性MRAM芯片。  

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