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鐵電隨機(jī)存儲器FRAM和磁性隨機(jī)存儲器MRAM
新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。鐵電隨機(jī)存儲器(FRAM)FRAM的核心
2020-10-28
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如何解決MRAM壽命問題
在高密度MRAM模塊中會遇到磁介質(zhì)的不規(guī)則漩渦,這種漩渦引起了磁極的老化,甚至導(dǎo)致讀寫錯誤。這也就是說,MRAM的壽命和穩(wěn)定性會隨著MRAM容量的增加而面臨嚴(yán)峻的考驗(yàn)。
2020-10-27
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斷電也能保存MRAM技術(shù)精髓
內(nèi)存技術(shù)在幾十年的發(fā)展過程中性能提高了不少,但并沒有實(shí)質(zhì)性的改變。因?yàn)檫@些內(nèi)存產(chǎn)品都是基于動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器DRAM的,一旦沒有持續(xù)的
2020-10-26
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非易失性NV-SRAM的應(yīng)用
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù),而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護(hù)的場
2020-10-23
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幾種非易失性存儲器的比較
SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電時,他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的
2020-10-21
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PSRAM是異步SRAM的理想替代品
PSRAM與傳統(tǒng)的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當(dāng),但卻有著標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM無法比擬的絕對成本優(yōu)勢。此外,PSRAM還可提供極高的存儲密度,如32Mbit和64Mbit,可滿足手機(jī)廠商手機(jī)擴(kuò)展功能的需要。
2020-10-20
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