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訪問SDRAM的低功耗優化設計方案
為了降低DSP外部SDRAM存儲系統的功耗,針對DSP訪問片外SDRAM的功耗來源特點,提出了基于總線利用率動態監測的讀寫歸并方案。該方案動態監測外
2020-12-01
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SRAM的容量擴展
通常微處理器的數據總線為8位和16位或32位,而地址總線為16位或24位不等。當靜態RAM的地址線和數據線不能與微機相匹配時,可用地址線擴展和
2020-11-30
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SDRAM功耗來源
在現代的通信及基于FPGA的圖像數據處理系統中,經常要用到大容量和高速度的存儲器。SDRAM有一個同步接口,在響應控制輸入前會等待一個時鐘信
2020-11-27
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如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗,如果要寫13Kbps的數據到DRAM里需要花1秒時間,大約要用2200uA的功耗去做寫
2020-11-26
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Nand Flash結構及錯誤機制
Nand Flash是一種非易失性存儲器,具有讀寫速度快 功耗低 存儲密度高等優點,目前被廣泛應用于電子產品中,如固態硬盤( SSD)、手機、數碼相
2020-11-25
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提升SRAM性能的傳統方法
隨著諸如醫療電子和無線傳感節點等應用的興起,低功耗芯片受到了越來越廣泛的關注 這類芯片對性能和功耗要求苛刻 靜態隨機存儲器(SRAM)作為
2020-11-24
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