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FRAM在寫入速度和耐用性遠優于EEPROM
鐵電隨機存取存儲器(FRAM)是真正的非易失性RAM，結合了RAM和非易失性存儲器的優點。FRAM在寫入速度、耐用性和能效方面遠優于閃存 EEPROM。
2021-06-23
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存儲芯片需求旺盛，DRAM尤為亮眼
按照電子芯片供應鏈的傳統，每年的第一個季度都較為平穩和緩慢，但是2019年突如其來的疫情似乎打破了這一傳統，疫情爆發后訂單和產能吃
2021-06-22
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靈動MM32SPIN系列MCU——高能效電機技術與應用方案
隨著人們生活水平的提高，電機在各種家用設備，以及工業自動化等領域的應用將越來越廣泛。隨著十四五規劃和2035年遠景目標綱要的出爐，電機
2021-06-21
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富士通FRAM存儲芯片512K×8位SPI MB85RS4MTY
FRAM(鐵電RAM)是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀 寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。
2021-06-18
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Everspin一級代理串行MRAM芯片MR25H256CDC
Everspin是專業研發非易發性存儲芯片MRAM的半導體公司，世界領先的分立和嵌入式MRAM開發商和制造商，Everspin產品線主要包括串口MRAM，并口
2021-06-17
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Everspin代理Serial MRAM芯片MR25H10CDC
Everspin公司型號MR25H10CDC是一個1,048,576位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設備，組織為131,072個8位字。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行閃存
2021-06-16
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