Everspin是專業研發非易發性存儲芯片MRAM的半導體公司，世界領先的分立和嵌入式MRAM開發商和制造商，Everspin產品線主要包括串口MRAM，并口MRAM，DDR3/4 STT-MRAM等產品，廣泛應用于數據存儲、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸領域。
 
Everspin一款串口MRAM存儲芯片MR25H256CDC，這款串行SPI MRAM允許對存儲器進行隨機讀寫操作，而且沒有寫入延遲。這款MR25H256CDC非常適合于必須通過一小部分I/O引腳快速存儲數據和程序的應用。
 
MR25H256CDC這款器件，不僅在讀寫耐久性方面表現出色，而且還與擁有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，并且沒有寫入延遲。典型的應用包括計算機存儲系統及服務器、工業自動化和機器人、電能管理、交通系統。
 
MR25H256CDC特征
•無寫入延遲
•無限寫入耐久性
•數據保留超過20年
•斷電時自動數據保護
•塊寫保護
•快速、簡單的SPI接口，時鐘速率高達40兆赫茲
•2.7~3.6V電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業和汽車1級和3級溫度
•提供8-DFN兼容封裝。
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•工業級和AEC-Q1001級和3級選項
•濕度敏感度MSL-3
 
Everspin型號MR25H256CDC是一種串行MRAM，其存儲器陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)四個引腳接口(SPI)總線。串行MRAM實現了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機和操作功率以及更可靠的數據保留。

關鍵詞：MR25H256CDC  串行MRAM

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