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DDR5介面芯片的存儲器頻寬與密度都比DDR4更高2倍
市場研究公司WebFeet Research總裁Alan Niebel表示:“市場將會非常需要DDR5 但它仍然是DRAM,而且也很耗電。它推動了傳統的馮?諾伊曼(Von Neuman)系統進展,但我們仍然需要持續推出持久型存儲器替
2017-11-30
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替代型存儲器崛起
CPU供應商預計將使其處理器的DDR通道數從12個增加到16個通道,因此可能使主存儲器的容量從現有的64GB提高到128GB。
2017-11-29
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存儲器世代即將來到DDR5 (第五代雙倍數據率)的時代
存儲器頻寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存儲器介面芯片研發成功,預計最快在2019年量產,將為服務器的主存儲器帶來更高效能與功率管理…
2017-11-29
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三星斥巨資 欲抑制中國存儲器發展
IC Insights估計,今年三星260億美元的半導體支出將分成幾部分: 3D NAND閃存:140億美元(包括在平澤工廠的產能大幅增長) DRAM:70億美元(用于流程遷移和彌補由于遷移造成的容量損失的額外
2017-11-28
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三星斥巨資投入至半導體行業
據悉,今年三星豪擲260億美元至半導體行業,被稱為半導體史上最大的投資額度。三星的巨額投資將會影響該行業未來的格局,或有可能影響中國儲存器廠商的發展。
2017-11-28
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NAND FLASH供貨緩解或將在2018年第二季度
由于技術轉換,2D NAND產量縮小,以及3D NAND爬坡使得NAND Flash貨源不足,價格瘋漲。消費類閃存產品每GB的單價從2016年0 12美元上漲到0 3美元以上,主流的eMMC產品上漲幅度超過60%,SSD產品超過80%。J
2017-11-27
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