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DDR5內存技術參數公布
據報道,Rambus首次公布HBM3 DDR5內存技術參數,最大的關注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被業界認為是極限,因為到了7nm節點即使是finfet也不能夠在保證性能的同時抑制漏電。所以工業界用砷
2017-12-08
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中國加快入局智能芯片領域
在今年8月份,中國國家開發投資公司旗下一只投資基金領投了人工智能芯片創業公司寒武紀科技,金額達1億美元。寒武紀科技11月6日時發布了兩款服務器芯片,能在部分人工智能項目中替代英
2017-12-07
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人工智能被定為國家戰略發展方向
從2015年開始中國半導體行業有了爆發性的增長,預計到2018年,行業產值將會突破6200億元人民幣,這其中當然少不了政府政策的大力支持。而存儲器相關、SiC GaN 等化合物半導體、以及IoT 5G AI
2017-12-07
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存儲器芯片的多種封裝技術
存儲器芯片的封裝有多種選擇,包括從引腳數少、外形小的SOP封裝到引腳數多的硅通孔(TSV)等各種封裝技術,而這些技術的選擇取決于密度、性能
2017-12-06
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存儲芯片市場年均增長9%
存儲器行業正處于飛速增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術》報告中預計,2016~2022年整個存儲器市場的復合年增長率約為9%,到2022將達到1350億美元,DRAM和NAND市場份額共計占約95%
2017-12-06
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存儲器芯片景氣或觸頂
摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)26日以明年存儲器芯片獲利或將難以繼續增長為由,將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權重”,目標價下調3 4%至280萬韓元。大摩
2017-12-05
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