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MRAM與常用計算機內存的性能比較

來源:宇芯有限公司 日期:2020-09-04 10:24:12

新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現像的發現及隨后幾年巨磁阻材料的開發,直至巨磁阻磁頭GMR的制成與應用都為MRAM存儲器研究開發奠定了基礎。
 
1995年美國國防部高級研究計劃署)為IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發,其技術指標及產品目標要求如下:
 
技術指標:
具有sram芯片的隨機存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存儲密度;
具有EEPROM芯片存入數據的非易失性。
 
產品目標:
取代計算機的DRAM內存,
取代手機的EEPROM閃存。
 
表1列出MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內存SRAM、DRAM及閃存的性能比較。

 
表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比較
 
由上述表中的四種內存只有MRAM能同時滿足計算機內存的四項要求:非易失性、隨機存取速率高、數據存儲密度高以及耗電功率低等。因此美、日、歐等發達國家都很重視這項新技術,投巨資加速MRAM產品的商業化。
 
 
Everspin MRAM型號表
型號 容量 位寬 電壓(V) 溫度 封裝 MOQ /托盤 MOQ /卷帶
MR25H40CDC 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃to+85℃ 8-DFN 570 4,000
MR20H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40 ℃to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H40MDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H10CDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H10MDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H10CDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H10MDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000
 
 

關鍵詞:MRAM 
 

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