MRAM與常用計算機內存的性能比較
來源:宇芯有限公司 日期:2020-09-04 10:24:12
新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現像的發現及隨后幾年巨磁阻材料的開發,直至巨磁阻磁頭GMR的制成與應用都為
MRAM存儲器研究開發奠定了基礎。
1995年美國國防部高級研究計劃署)為IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發,其技術指標及產品目標要求如下:
技術指標:
具有
sram芯片的隨機存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存儲密度;
具有EEPROM芯片存入數據的非易失性。
產品目標:
取代計算機的DRAM內存,
取代手機的EEPROM閃存。
表1列出MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內存SRAM、DRAM及閃存的性能比較。
表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比較
由上述表中的四種內存只有MRAM能同時滿足計算機內存的四項要求:非易失性、隨機存取速率高、數據存儲密度高以及耗電功率低等。因此美、日、歐等發達國家都很重視這項新技術,投巨資加速MRAM產品的商業化。
Everspin MRAM型號表
型號 |
容量 |
位寬 |
電壓(V) |
溫度 |
封裝 |
MOQ /托盤 |
MOQ /卷帶 |
MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H256CDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H256MDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H256CDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H256MDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
關鍵詞:MRAM
宇芯有限公司自成立以來,我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質,主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品,是一家專業提供存儲方案解決商。