ISSI為汽車，數字消費者以及工業和醫療主要市場設計。其主要產品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM存儲器。還設計和銷售NOR閃存產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。為關鍵市場開發精選的非內存產品。為了增加產品的多樣化并提供SRAM，DRAM和閃存專業知識相輔相成的產品。其中旗下的IS62WV102416AL在市場上深受各汽車,工業行業的喜愛。ISSI代理商宇芯電子可提供樣品及技術指導.
 
描述
ISSI IS62WV102416ALL是高速的16M位靜態RAM，組織為1024K字乘以16位。它主要是使用ISSI高性能CMOS技術所制造出來的。這種可靠的工藝加上創新的電路設計技術就可生產出高性能和低功耗的設備。
 
當CS1為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）或CS1為低電平，CS2為高電平且LB和UBare均為高電平時，器件將處于待機模式，在待機模式下可以通過CMOS輸入電平降低功耗。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許訪問高字節（UB）和低字節（LB）。該器件采用的是JEDEC標準的48引腳TSOP I型和48引腳Mini BGA（9mm x 11mm）的封裝形式。
 
1Mx16低功耗引腳配置
48針迷你BGA（9mmx11mm）

 
48引腳TSOP-I（12mm x 20mm）
   
特征
•高速訪問時間：
 25、35 ns
•高性能，低功耗CMOS工藝
•多個中心電源和接地引腳，增強了抗噪能力
•通過CS1和OE選項輕松擴展內存
•CS1掉電
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•TTL兼容輸入和輸出
•單電源
Vdd 1.65V至2.2V（IS62WV102416ALL）
Vdd 1.65V至2.2V的速度= 35ns
Vdd 2.4V至3.6V（IS62 / 65WV102416BLL）
Vdd 2.4V至3.6V的速度= 25ns
•可用軟件包：
– 48球miniBGA（9mm x 11mm）
– 48引腳TSOP（I型）
•工業和汽車溫度支持
•無鉛
•高低字節數據控制


 ISSI IS62WV102416ALL系列

型號	容量	位寬	電壓	速度（ns）	封裝
IS62WV102416ALL/BLL	16Mb	1Mx16	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)
IS62WV102416DALL/BLL	16Mb	1Mx16/2Mx8	1.65-3.6V	35,45,55	TSOP1(48)
IS62WV102416EALL/BLL	16Mb	1Mx16	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)

 
 
關鍵詞：IS62WV102416ALL  SRAM