ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰DRAM和SRAM），可擴展至10nm以下，并挑戰了閃存的低成本。STT代表旋轉傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋使用自旋極化電流翻轉。

目前有研究人員開發了一種新的超低功耗ST-MRAM架構，稱為Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人員說，SL-ST-MARM同時實現了超高MR比，高速開關和低RA。
 

SL STT MRAM結構
 

SL-ST-MRAM基于SL-ST-MTJ，它使用超晶格勢壘代替了傳統STT-MTJ中的單晶（MgO）勢壘。超晶格屏障由交替的金屬層和絕緣層組成，其中在絕緣層中僅使用非晶而不是單晶。與傳統的基于MgO的ST-MRAM相比，SL-ST-MRAM具有更高的重復寫入可靠性。
 

研究人員進一步說，SL-ST-MRAM的生產與傳統的ST-MRAM工藝兼容，并且根據他們的發現，SL-ST-MTJ可以降低90％以上的開關功率和RA值，而MR比和開關速度可以增加十倍以上.研究人員現在正與業界接觸，尋找可以進一步開發SL-ST-MRAM技術并使其商業化的合作伙伴。在生產MRAM領域上,Everspin在行業中具有領先地位,在包括40nm，28nm及更高技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產.everspin代理宇芯有限公司可提供完善的MRAM芯片產品服務.


關鍵詞：ST-MRAM