隨機存取存儲器的類別
來源:宇芯有限公司 日期:2018-05-31 11:27:20
1、SRAM:靜態隨機存取存儲器采取多重晶體管設計,通常每個存儲單元使用4-6只晶體管,但沒有電容器。SRAM主要用于緩存。
2、DRAM:動態隨機存取存儲器中每個存儲單元由配對出現的晶體管和電容器構成,需要不斷地刷新。
3、FPM DRAM:快速頁模式動態隨機存取存儲器是最早的一種DRAM。在存儲器根據行列地址進行位元定位的全程中,FPM DRAM必須處于等待狀態,數據讀取之后才能開始處理下一位數據。向二級緩存的最高傳輸速率約為176MB每秒。
4、EDO DRAM:擴展數據輸出動態隨機存取存儲器在處理前一位數據的過程中無需全程等待,就可以開始處理下一位數據。只要前一位數據的地址定位成功,EDO DRAM就開始為下一位數據尋址。它比FPM快5%左右。向二級緩存的最高傳輸速率約為264MB每秒。
5、SDRAM:同步動態隨機存取存儲器利用了爆發模式的概念,大大提升了性能。這種模式在讀取數據時首先鎖定一個記憶行,然后迅速掃過各記憶列,與此同時讀取列上的位元數據。之所以有這種設計思想,是因為多數時候CPU請求的數據在內存中的位置是相鄰的。SDRAM比EDO RAM快5%左右,已成為當今臺式機內存中應用最廣的一種。向二級緩存的最高傳輸速率約為528MB 每秒。
6、DDR SDRAM:雙倍速率同步動態RAM與SDRAM相似,但帶寬更高,即速度更快。向二級緩存的最高傳輸速率約為1064MB每秒。(133兆赫茲DDR SDRAM)。
7、RDRAM:Rambus動態隨機存取存儲器同先前的DRAM體系有著根本性的區別。由Rambus公司設計的RDRAM采用了Rambus直插式內存模組(RIMM),在外形尺寸和引腳構造方面類似于標準的DIMM。RDRAM與眾不同之處在于它采取一種特殊的高速數據總線設計,稱為Rambus信道。RDRAM內存芯片在并行模式下工作頻率可達800兆赫(數據速率1600兆字節)。由于操作速率很高,RDRAM產生的熱量要大大多于其他類型的芯片。為了驅散多余的熱量,Rambus芯片配有散熱器,這種散熱器看上去就像是又長又薄的圓片。正如DIMM有其小外形版本一樣,生產商還為筆記本電腦設計了小外形RIMM。
8、信用卡內存:信用卡內存是一種享有專利權的獨立DRAM內存模組,使用時要將其插入筆記本電腦的特制長槽中。
9、PCMCIA內存卡:另一種用于筆記本電腦的獨立DRAM內存模組,這種內存卡不享有專利權,只要系統總線能與內存卡設置相互匹配,即可用于各種筆記本電腦。
10、CMOS RAM:CMOS RAM這一術語是指用于電腦和其他設備中的一種小容量存儲器,用來存儲硬盤設置等信息——有關詳細信息,請查見為什么計算機需要電池?一文。這種內存需要一個小型電池來供電,以維持存儲器的內容。
11、VRAM:視頻RAM,亦稱多端口動態隨機存取存儲器(MPDRAM),為顯示適配器和3D加速卡所專用。所謂“多端口”是指VRAM通常會有兩個獨立的訪問端口,而非單一端口,允許CPU和圖形處理器同時訪問RAM。VRAM位于圖形卡上,且種類繁多,其中很多享有專利權。VRAM的大小往往能決定顯示器的分辨率和色深度。VRAM還可以用來保存一些圖形專用信息,例如3D幾何數據和質素圖。真正的多端口VRAM往往價格不菲,因而當今的圖形卡使用SGRAM(同步圖形RAM)作為替代品。兩種顯存性能相差無幾,而SGRAM價格更為便宜。
隨機存取存儲器的優缺點
優點:速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低;常用作Cache
缺點:元件數多、集成度低、運行功耗大
關鍵詞:
隨機存取存儲器
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