四個SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時鐘頻率為108MHz，其性能超過了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪問時間)器件。該nvSRAM 提供了 24MBps的隨機讀寫訪問速度，無限制的寫次數，以及20年的數據保存期。因其I/O寬度更小，其16-pin SOIC 封裝以及 24-ball BGA封裝的芯片管腳數更少，故占板空間也就更少。該器件還包括了一個可選的集成實時時鐘(RTC)，未經校準的精度為+/- 50ppm。這款nvSRAM與競爭器件相比具有更低的功耗，工作電流為 5.8mA，睡眠模式電流為10uA。

賽普拉斯nvSRAM符合RoHS標準，可用來直接替代SRAM、帶電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，無需電池即可提供可靠的非易失性數據存儲功能。掉電時，數據會自動從SRAM傳輸到該器件的非易失性單元。通電后，數據可從非易失性單元恢復到SRAM。這兩個操作也能由軟件控制。

賽普拉斯非易失性產品業務部總監Sonal Chandrasekhar認為：“關鍵任務系統需要能在掉電瞬間立即可靠地保存數據的高性能存儲器。賽普拉斯的新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉電時保護數據安全的能力，其數據吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。”

賽普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲器技術制造，可實現更高的容量、更快的訪問速度和更好的性能。對RAID系統、PLC、航空、工業數據日志、電機驅動、計算和網絡系統、路由器和交換機、國防系統，以及游戲系統等于需要高性能和絕對非易失性數據安全的應用而言，nvSRAM是理想的選擇。

關于賽普拉斯的nvSRAM

賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標準的PCB流水線生產。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標準，可以直接替代SRAM、依靠電池供電的SRAM(BBSRAM)產品，提供快速非易失性數據存儲能力。當發生斷電的時候，數據可自動從SRAM傳輸到非易失性單元中。加電之后，數據可從非易失性存儲器中恢復至SRAM。在網絡、工業、計算及RAID應用中，賽普拉斯的nvSRAM提供了高速數據傳輸性能，并在斷電的時候，無需電池即可保證數據的完整性。

關鍵詞：賽普拉斯    nvSRAM 

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