三星擴產NAND Flash 明年恐將供過于求
來源：宇芯有限公司 日期：2017-11-22 16:12:43
三星(Samsung)今年資本支出將增長至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為發展主力，研調機構IC Insights認為，如此一來，3D NANDFlash恐怕會出現將供過于求的現象。
IC Insights預測，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將增長35%。其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的加起來還多。
三星今年的資本支出主要投入到3D儲存型閃存(NAND Flash)，投資資金高達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態隨機存取內存(DRAM)制程技術，并彌補因制程轉換造成的產能損失。
在晶圓代工方面，IC Insights表示，三星將投入50億美元擴增10納米制程產能。
除三星投入巨額資本支出，SK海力士(Hynix)與美光(Micron)等三星競爭對手資本支出也將顯著增加，IC Insights認為，這恐將引發3D NAND Flash市場供過于求。
關鍵詞：
NAND Flash
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。
