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存儲(chǔ)器分類

來(lái)源: 日期:2025-03-28 15:37:18

  如果簡(jiǎn)單地分類,大致可以把存儲(chǔ)器分為NAND Flash、NOR Flash和DRAM三類。得益于5G、AI、汽車電子等領(lǐng)域的不斷發(fā)展,DRAM、NAND Flash、NOR Flash也各自有不同的技術(shù)演進(jìn)方向。
 
  其中,NAND Flash在智能穿戴領(lǐng)域的發(fā)展迅猛,從早期用于簡(jiǎn)單的手環(huán)、手表,到現(xiàn)在用于可安裝APP、表盤顯示豐富的智能手表,其應(yīng)用場(chǎng)景也在隨著終端產(chǎn)品的演進(jìn)而不斷拓展。同時(shí),SLC NAND Flash在服務(wù)器領(lǐng)域也有應(yīng)用,如陣列卡和BMC等部件正逐步采用SLC NAND。在AI服務(wù)器中,NAND Flash主要用于大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)。
 
  NOR Flash主要應(yīng)用在長(zhǎng)尾市場(chǎng),其市場(chǎng)營(yíng)收從20年前的上百億美元,降至如今的約26億美元,整個(gè)市場(chǎng)呈現(xiàn)出長(zhǎng)尾的特征。盡管其市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)縮小,但如今NOR Flash在多個(gè)領(lǐng)域仍被廣泛應(yīng)用。
 
  比如,在消費(fèi)電子領(lǐng)域,智能穿戴設(shè)備及家用DVB-C、DVB-S等設(shè)備常用NOR Flash;在汽車電子領(lǐng)域,NOR Flash的應(yīng)用不斷拓展,如汽車攝像頭和ADAS系統(tǒng)等;在通信領(lǐng)域,4G和5G通信設(shè)備需要高容量NOR Flash來(lái)滿足數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和程序運(yùn)行需求,基站部署推動(dòng)其在通信領(lǐng)域的應(yīng)用;在人工智能領(lǐng)域,NOR Flash在GPU顯卡中用于存儲(chǔ)固件和驅(qū)動(dòng)程序,確保顯卡的正常運(yùn)行和高性能表現(xiàn)。
 
  DRAM主要分為DDR、LPDDR和GDDR三類,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、移動(dòng)設(shè)備和圖形處理等領(lǐng)域。其中,DDR適用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等高性能計(jì)算設(shè)備;LPDDR則針對(duì)移動(dòng)設(shè)備,如手機(jī)和平板電腦,因其低功耗特性而受到青睞;GDDR主要用于圖形處理,滿足顯卡等設(shè)備對(duì)高帶寬的需求。
 
此外,隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,基于DRAM研發(fā)的HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)逐漸嶄露頭角。HBM通過(guò)3D堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更高的帶寬和更低的功耗,適用于高通GPU、算力卡等對(duì)數(shù)據(jù)處理能力要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景。


本文關(guān)鍵詞:DRAM,NOR Flash

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