FeRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種先進的非易失性存儲技術，它利用鐵電薄膜作為電容器材料來保存數據。FeRAM結合了ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的優點，提供了更快的寫入速度、卓越的讀/寫周期耐久性以及低功耗特性。
 
    1.極高的讀/寫周期耐久性
    FeRAM承諾能夠承受高達100萬億次的重寫操作。即便以每秒100次的頻率進行寫入，其理論耐久性也超過了3000年。這幾乎等同于無限制的寫入能力，除非是在那些需要極高頻率重寫的特殊應用場景中。FeRAM的高重寫耐久性為高頻、高精度數據采集提供了可能，無需進行損耗均衡。
 
    2.極速寫入速度
    FeRAM的每次寫入操作僅需約120納秒，這一速度是EEPROM的數萬倍。即便在斷電或瞬間電源中斷的情況下，FeRAM依然能夠可靠地記錄數據。此外，它通過簡化外圍組件來降低整體成本（BOM成本降低）。
 
    3.低功耗特性
    與其他存儲技術相比，FeRAM在功耗方面表現出色，有兩個原因：
    -寫操作時間短，且功耗低。
    -作為非易失性存儲器，它消除了保持數據所需的持續電流。
 
    4.簡化的寫入過程
    FeRAM之所以能夠實現簡單的寫入過程，主要有兩個原因：
    -內存可以直接覆蓋，無需進行預擦除操作。
    -FeRAM沒有頁或扇區的概念，允許整個區域連續寫入。
 
    5.易于替代現有內存
    FeRAM與EEPROM和SRAM高度兼容，便于在現有系統中輕松替換現有的存儲器。

本文關鍵詞：FeRAM,FRAM

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