MB85RS1MT是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，配置為131,072字×8位，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術來形成非易失性存儲單元。采用串行外圍設備接口（SPI）。能夠保留數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。
 
MB85RS1MT中使用的存儲單元可用于10¹³個讀/寫操作，與Flash存儲器和E²PROM支持的讀和寫操作數量相比有顯著改進。不需要很長的時間就可以寫入閃存或E²PROM等數據，MB85RS1MT不需要等待時間。代理商宇芯電子支持提供產品相關技術支持。
 
■特點
•位配置：131,072字×8位
•串行外圍設備接口：SPI（串行外圍設備接口）對應于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
•工作頻率：1.8V到2.7V，最大25MHz2.7V到3.6V，最大30MHz（對于FSTRD命令）2.7V到3.6V，最大40MHz（最大）
•高耐久性：10¹³次/字節
•數據保留：10年（+85°C），95年（+55°C），超過200年（+35°C）
•工作電源電壓：1.8V至3.6V
•低功耗：工作電源電流9.5mA（最大值@30MHz）
待機電流120μA（最大值）
休眠電流10μA（最大值）
•工作環境溫度范圍：-40℃至+85℃
•封裝
8針塑料SOP（FPT-8P-M02）
8針塑料WLP（WLP-8P-M01）
8針塑料DIP（DIP-8P-M03）
符合RoHS
 
關于富士通
富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM， 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器，FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域，以及醫療設備及醫療RFID標簽等醫療領域。近年來應用于可穿戴設備和工業機器人以及無人機中。富士通FRAM憑借高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面的優勢，被視為替代傳統EEPROM和FLASH的產品。日本富士通半導體代表了當今世界最先進的FRAM技術。FRAM在半導體市場上已經得到了商業驗證，FRAM存儲器產品已成功應用在汽車中。


關鍵詞：FRAM  富士通 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。