工業物聯網的蓬勃發展，對數據鏈上如數據采集、數據記錄、數據處理等各個環節的應用提出了更高的要求。對于智能電表而言，數據記錄及存儲需要考慮準確記錄、非易失性、耐久度等多個方面的需求。因此智能電表方案商需考慮挑選合適的存儲產品予以應對。富士通FRAM在需要準確記錄和存儲智能電表重要數據的應用中、發揮著關鍵作用。例如電表使用的重要數據，需要在非常短的間隔(1-3次/秒)里保存在存儲器，并確保掉電情況下數據依然完整。
     
以256Kb獨立FRAM存儲器為例，每寫入1Byte數據，所需時間僅為150ns。因此富士通FRAM在智能電表應用中帶來了關鍵的優勢：掉電保護重要數據。國家電網公司也有規定，重要數據必須以1次/秒的頻率實時記錄到存儲器，按照智能電表10年運行周期來計算，存儲器需達到寫入次數為：1*60*60*24*365*10=3.2億次。當前單片FRAM寫入次數壽命高達10萬億次，而EEPROM僅有百萬次。顯然選用高速、高讀寫耐久性的富士通FRAM能夠滿足數據寫入性的要求，并在掉電或者其它異常情況發生時，能確保重要數據的完整記錄，從而確保電力產業的準確收費。富士通FRAM在智能電表行業已深耕10年之久，內置有富士通FRAM的智能電表是當前電力公司所追求的理想解決方案，為智能電表行業提供高性能、高可靠的存儲方案。
 
在物聯網時代，企業與消費者對數據保密與安全的認知進一步提升。若遇到黑客違法盜取及分析電表的機密數據，將導致大范圍的信息泄露。對此富士通FRAM賦予了智能電表應用的另一優勢，就是防止黑客盜竊或篡改數據。當黑客的篡改事件發生時，低功耗和高速的FRAM可以利用給RTC供電的小型電池電源，瞬間消去重要數據，從而確保電力用戶的信息安全。例如FRAM僅需0.1mA的工作電流，就能夠在0.3ms的時間內擦除256bit的數據，相比EEPROM擁有顯著的優勢。