從1990年代開始流行的智能卡和移動設備就需要很長時間來存儲數據，即使關閉電源（非易失性），也可以存儲數據，在低功率下高速運行，并具有較高的寫擦除周期耐力。鐵電隨機存取存儲器（FRAM）滿足了這些要求，但是在日本和美國嘗試使用常規半導體工藝制造該存儲器的嘗試直到2000年代初都未必成功。
 
在常規半導體工藝期間產生的氫氣，該反應導致鐵電性能下降。富士通團隊開發了H2阻擋膜來防止氧化鐵電材料的還原。這有助于在1999年成功地開始FRAM的批量生產。為了實現高密度和低壓可操作FRAM，他們改進了鐵電電容器，實現了1.8V工作電壓和4 Mb FRAM。與傳統的FLASH存儲器相比，他們開發的FRAM具有出色的電子性能。它的寫入/擦除速度提高了1000萬倍，耐用性提高了1億倍，功耗降低了400倍。
 
因此FRAM不僅用于智能卡和移動設備中，而且還用于配備有大容量內存，身份驗證設備和備用電池的射頻識別（RFID）標簽中，以用于備用電池的靜態RAM（SRAM）。由于已證明FRAM被證明比FLASH存儲器具有更高的抗輻射能力，因此FRAM有望應用于附著在需要通過放射線滅菌的醫療設備上的RFID標簽。
 
盡管FRAM已經成為用于安全社交網絡的基本內存支持信息技術（IT），但FRAM的最重要挑戰之一是“擴展”或減小單元區域。該團隊已經開發出了下一代FRAM，其單元面積比當前商業化的FRAM小得多。這項技術將大大降低FRAM的制造成本，并顯著提高FRAM市場的增長。
 
盡管FRAM已經成為用于安全社交網絡的基本內存支持信息技術（IT），但FRAM的最重要挑戰之一是“擴展”或減小單元區域。該團隊已經開發出了下一代FRAM，其單元面積比當前商業化的FRAM小得多。這項技術將大大降低FRAM的制造成本，并顯著提高FRAM市場的增長。
 
盡管FRAM已經成為用于安全社交網絡的基本內存支持信息技術（IT），但FRAM的最重要挑戰之一是“擴展”或減小單元區域。該團隊已經開發出了下一代FRAM，其單元面積比當前商業化的FRAM小得多。這項技術將大大降低FRAM的制造成本，并顯著提高FRAM市場的增長。

關鍵詞：FRAM 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。