寫入FRAM的零時鐘周期延遲
 
一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間，以將其頁面數據轉移到非易失性EEPROM內。當需要寫入幾千字節的數據時，會導致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫操作變慢;所有寫操作按總線速率 進行，并非基于存儲器延遲。下面兩個實例和圖1說明寫延遲的影響。
 
實例1:
需要2毫秒將256字節的頁面數據通過1MHz 1C總線從控制器傳輸到EEPROM頁面內。然后需要5毫秒將數據寫入到EEPROM內。具有密度為1Mbit和頁面大小為256個字節的1MHzCEEPROM需要28毫秒來備份1Kb數據（4x2ms+4x5ms）。
 
然而使用FRAM時，只要8毫秒（4x2ms）便可以將1Kb數據寫入到FRAM中。（這時測量數據從控制器傳輸到EEPROM緩沖區中所需的總時間。）對于EEPROM，需要3.584秒（512x2ms+512x5ms）傳輸整個1Mbit數據，但對于FRAM，只需要大約1.024秒（512x2ms）。
   
 

實例2:
需要100us將256字節的頁面數據通過20MHzSPI總線從控制器傳輸到EEPROM頁面中，然后需要5ms將一頁的數據傳輸到EEPROM。具有密度為1Mbit和頁面大小為256個字節的20MHzSPIEEPROM需要20.4ms來備份上述的兩個實例顯示了零時鐘周期寫入FRAM中的延遲提高非易失性寫入性能優于EEPROM。
 
EEPROM支持不同的頁面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁面大小需要更多頁面寫操作和更多寫周期時間。因此造成額外的寫延遲。因為FRAM不是分頁的存儲器，所以將給定的數據集寫入到它時所需的時間不會隨存儲器的密度而變化。
 
1Kb的數據(4x100us+4x5ms）。對于FRAM，只需要400us(4x100us）將1Kb的數據寫入到FRAM中。（這時間等于數據從SPI控制器傳輸到EEPROM緩沖區中所需的總時間）。對于EEPROM，需要2.611秒(512x100us+512x5ms）傳輸整個1Mbit數據，但對于FRAM，只需要大約51.1毫秒（512×100us）。
 
 
 

關鍵詞：FRAM