1Mb串行MRAM具有四個串行I/O路徑，旨在提高讀/寫速度并減少時鐘周期。Everspin Technologies的具有Quad SPI接口的MR10Q010提供高達104MHz的時鐘速度和52MB/s的讀/寫帶寬。MRAM專為需要對數據進行高頻寫入的應用而設計，可提供與并行I/O MRAM相當的讀取/寫入帶寬。它還允許就地執行（XIP）操作。Everspin代理商宇芯電子可提供技術支持及產品應用解決方案等產品服務。
 
Everspin MRAM這款高性能設備可以以104MHz的速度讀取和寫入數據，而不會在其他非易失性技術（例如NOR Flash）中遇到寫入延遲。結合無限的寫周期耐久性，MR10Q010非常適合需要連續記錄關鍵系統數據的應用，并具有在意外斷電的情況下保護數據的額外好處，而無需使用電池或電容器。諸如企業RAID控制器之類的應用程序可以利用這些功能，通過將MR10Q010用作記錄不斷更新的系統元數據的日志存儲器，來增強關鍵任務數據存儲系統的可靠性。
 
此外該存儲器具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括讀寫操作，其中在所有四個I/O上輸入地址和數據以減少時鐘周期。該器件采用16引腳SOIC封裝，可通過并行接口節省20引腳，并支持低電壓電平，并具有用于I/O的單獨VDDQ。
 
其他功能包括：
•數據保留超過20年
•自動斷電數據保護
•無限的寫續航力
•7.5mmx10.3mm機身尺寸
•引腳與NOR Flash Quad SPI產品兼容
 
MR10Q010 Quad SPI MRAM是理想的存儲解決方案，適用于必須使用少量引腳，低功耗和節省空間的16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數據和程序的應用。Quad SPI模式下的四個I / O允許每秒52MB的非常快的讀寫速度，使其比8位并口mram更快。這對于下一代RAID控制器，服務器系統日志，存儲設備緩沖區以及嵌入式系統數據和程序存儲器非常有用。


關鍵詞：   MRAM    MR10Q010