新型存儲器與傳統存儲器介質特性對比
來源:宇芯有限公司 日期:2020-04-23 10:07:22
目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯合研發的3D Xpoint為代表;
MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器ReRAM,目前暫無商用產品,其代表公司是美國的Crossbar。
上述新型存儲器已被研究了近數十年,只是相對于早已產業化的隨機存儲
sram、DRAM存儲器、和NAND Flash,還未能大規模商用。存儲器產業未來的技術發展方向仍是未知數。
在非易失性MRAM存儲器方面,Everspin MRAM已經有產品應用于航空航天等特定領域,并于2019年開始與格芯合作,試生產28nm制程的1Gb STT-MRAM產品。ReRAM存儲器仍然尚未商用,初創公司如Crossbar則正致力于其產業化的進程。
當前的新型存儲器尚不具備替代DRAM芯片或
Nand閃存的能力,市場主要集中于低延遲存儲與持久內存。分別比較3種存儲的介質特性如下表所示。
表 新型存儲及傳統存儲特性對比
MRAM具有最好的讀寫速率和使用壽命,從理論上有機會替代現在的內存芯片和外存,但是由于涉及量子隧穿效應,大規模制造難以保證均一性,存儲容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進一步突破之前,宇芯電子代理的Everspin MRAM芯片的產品主要適用于容量要求低的特殊應用領域以及新興的IoT嵌入式存儲領域。
Everspin STT-MRAM 1Gb
Density |
Org. |
Part Number |
Speed |
Temp Rating |
Package |
Pack/Ship |
1Gb |
-- |
EMD4E001G08G2-150CAS2 |
667MHz |
Commercial |
78-BGA |
Tray |
1Gb |
-- |
EMD4E001G08G2-150CAS2R |
667MHz |
Commercial |
78-BGA |
Tape & Reel |
1Gb |
-- |
EMD4E001G16G2-150CAS2 |
667MHz |
Commercial |
96-BGA |
Tray |
1Gb |
-- |
EMD4E001G16G2-150CAS2R |
667MHz |
Commercial |
96-BGA |
Tape & Reel |
1Gb |
128Mb x8 |
EMD4E001G08G1-150CAS1 |
667MHz |
Commercial |
78-BGA |
Tray |
1Gb |
128Mb x8 |
EMD4E001G08G1-150CAS1 |
667MHz |
Commercial |
78-BGA |
Tape & Reel |
1Gb |
64Mb x16 |
EMD4E001G16G2-150CAS1 |
667MHz |
Commercial |
96-BGA |
Tray |
1Gb |
64Mb x16 |
EMD4E001G16G2-150CAS1R |
667MHz |
Commercial |
96-BGA |
Tape & Reel |
關鍵詞:新型存儲器MRAM MRAM
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