隨著業界持續邁向更小技術節點，DRAM和NAND閃存(flash)正面對著嚴苛的微縮挑戰，MRAM因而被視為有望取代這些內存芯片的備選獨立式組件。這種非揮發性內存由于具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強勁的保留能力，也被視為極具吸引力的嵌入式技，適用于取代Flash和嵌入式SRAM。嵌入式MRAM被視為特別適用于像物聯網(IoT)設備之類的應用。MRAM技術自1990年代起開始發展，但尚未取得廣泛的商業成功。
 
全球兩大半導體巨擘——英特爾(Intel)、三星(Samsung)發表的嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝的新技術。英特爾介紹整合于其22FFL工藝的自旋轉移力矩(STT)-MRAM非揮發內存之關鍵特性，并指稱這是“首款基于FinFET的MRAM技術”。英特爾表示該技術目前已經“生產就緒”，但并沒透露有哪一家代工廠采用這一工藝；根據多個消息來源顯示，該技術已經用于目前出貨中的產品了。
 
三星(Samsung)介紹在其28nmFDSOI工藝制造的STT-MRAM。從可擴展性、形狀可調整以及磁可擴展性方面來看，STT-MRAM被視為是目前最佳的MRAM技術。
 
英特爾表示，其嵌入式MRAM技術在攝氏200°溫度下可實現10年的數據保留能力，耐受度超過106個開關周期。該技術使用216×225mm1T-1R內存單元。同時三星稱其8Mb MRAM的耐受度為106個周期，同樣支持10年的保留能力。
 
但隨著制造成本降低以及其他內存技術面對微縮挑戰，嵌入式MRAM越來越受青睞。重要的是，隨著新的工藝技術進展，sram內存單元的尺寸并不會隨著其后的先進工藝而縮小，因此MRAM將會變得越來越有吸引力。
 
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