MRAM是一種非易失性的磁阻式隨機存取存儲器，是一種基于隧穿磁阻效應的技術，屬于當前新型存儲器技術之一。
 
    從特性上看，MRAM具備讀寫次數無限、寫入速度快（寫入時間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高等特點，產品主要適用于容量要求低的特殊應用領域以及新興的IoT嵌入式存儲領域。
 
    從主流的MRAM技術來看，MRAM技術包括嵌入式磁阻RAM（MRAM）、自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）、SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性隨機存儲器）。目前MRAM主要以美國半導體大廠EverspinTechnologies推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩轉換磁性隨機存儲器）為代表。據悉，Everspin公司已量產MRAM產品。
 
    其中，STT-MRAM使用隧道層的“巨磁阻效應”來讀取位單元，當該層兩側的磁性方向一致時為低電阻，當磁性方向相反時，電阻會變得很高。與其他新興存儲技術相比，STT-MRAM耐用性較為出色，并且存儲速度極快，還被認為是最高級的緩存存儲器。
 
    SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性隨機存儲器），采用三端式MTJ結構，將讀取和寫入路徑分開，通過分離讀寫路徑，提供更高的耐用性。


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