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不同類別存儲器基本原理
存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器分SRAM和DRAM；非易失性存儲器以Nor-flash和Nand-flash為典型代表。
2020-06-18
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串口SRAM和并口SRAM的區別
首先來看一下并口和串口的區別：引腳的區別：并口SRAM引腳很多，串口SRAM引腳很少。大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是
2020-06-16
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外擴SRAM ISSI代理商IS62WV102416EBLL
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態RAM，以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的過程與創新的電路設計技術相結合，
2020-06-12
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武漢新芯50nm高性能SPI Nor Flash
武漢新芯一家領先的非易失性存儲供應商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI Nor Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC全線量產，產品容量覆
2020-06-10
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MRAM可以替代NOR或SRAM
內存在人工智能解決方案（例如機器學習）的培訓和實施中均扮演著關鍵角色。這也是創建諸如5G之類的高級網絡技術的要求，這將需要在網絡邊緣
2020-06-08
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SRAM數據存儲原理
靜態RAM的基本構造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發存儲單元，再通過位線對所觸發的存儲單元進行讀出或寫入。在靜態CMOS存儲器中
2020-06-04
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