国产精品亚洲一区二区三区久久,欧美日韩激情视频在线观看,久久久久久久久理论片,粗大挺进玉芬双腿间
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機SRAM
低功耗LPSRAM
Serial RAM
異步快速Async Fast
國產(chǎn)SRAM芯片
偽靜態(tài)隨機pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
鐵電存儲器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步動態(tài)SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
內(nèi)存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制層芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制單片機MCU
32位單片機MCU
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
郵箱：
sales@wridy.com
首頁
網(wǎng)站地圖
EN
案例&資訊
行業(yè)案例
>
資訊動態(tài)
>
案例&資訊
主頁 > 案例&資訊
電機驅(qū)動MCU通用功能和技術(shù)點解析
電機驅(qū)動MCU技術(shù)要點它是電機控制器即動力輸出。通俗點就是你要加速他讓電機轉(zhuǎn)得快一些，要剎車他能讓電機轉(zhuǎn)的慢一點。所以他有如下特點：
2021-02-01
查看詳情 >
串行SPI NOR閃存VS并行NOR閃存
NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長時間。對于某些低功耗應(yīng)用，串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎
2021-01-29
查看詳情 >
非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點
在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設(shè)備接口）來
2021-01-28
查看詳情 >
為何要使用MCU
為什么很多電器設(shè)備都要使用MCU呢？讓我們用一個點亮LED的電路為例，來說明。如下圖所示，不使用MCU的電路是一個由LED，開關(guān)和電阻構(gòu)成的簡
2021-01-27
查看詳情 >
Nand Flash控制器將上漲約15~20%
集邦咨詢：上游晶圓代工產(chǎn)能緊缺，NandFlash控制器將上漲約15~20%根據(jù)集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查顯示，受限于上游臺積電與聯(lián)電等晶圓代
2021-01-26
查看詳情 >
DRAM存儲器漲跌有別
針對近期各家外資紛紛看好存儲器的前景，預(yù)計存儲器將自2021年首季開始迎接新的成長周期，且時間將持續(xù)至2022年中。同時存儲器市場方面，雖
2021-01-25
查看詳情 >
938條
上一頁
1
..
72
73
74
75
76
77
78
79
80
..
157
下一頁
友情鏈接
大型鹽霧試驗箱廠家
拉力計
氮化鎵芯片
智慧工業(yè)園
官方微博
阿里巴巴
微信公眾號
宇芯有限公司W(wǎng)ridy company limited
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機SRAM
偽靜態(tài)隨機pSRAM
磁性非易失MRAM
鐵電存儲器FeRAM
非易失性NV-SRAM
同步動態(tài)SDRAM
內(nèi)存Flash
多制層芯片MCP
Microcontroller
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
在線客服
2207232297
聯(lián)系電話
18926554009
